工作溫度 |
-40℃~+85℃
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封裝類型
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採用金屬封裝
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傳輸方式
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PIO-4
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UDMA-4
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32M
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WR2IFD032S-EISI-P
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WR2IFD032S-EISI-U
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64M
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WR2IFD064S-EISI-P
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WR2IFD064S-EISI-U
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128M
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WR2IFD128S-EISI-P
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WR2IFD128S-EISI-U
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256M
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WR2IFD256S-EISI-P
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WR2IFD256S-EISI-U
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512M
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WR2IFD512S-EISI-P
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WR2IFD512S-EISI-U
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1GB
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WR2IFD01GS-EISI-P
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WR2IFD01GS-EISI-U
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2GB
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WR2IFD02GS-EISI-P
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WR2IFD02GS-EISI-U
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4GB
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WR2IFD04GS-EISI-P
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WR2IFD04GS-EISI-U
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8GB
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WR2IFD08GS-EISI-P
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WR2IFD08GS-EISI-U
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16GB
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SR2IFD16GS-EISI-P
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WR2IFD16GS-EISI-U
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●符合RoSH環保 有 ●兼容性 ATAPI-5和Ture IDE
●閃存技術 NAND型SLC Flash
●樣式 標準的2.5英吋IDE硬盤
◆連接 44針
●設置主盤/從盤跳線 有
●系統性能
◆數據傳輸方式 PIO-4或者UDMA-4
◆數據傳輸速率 66.6MB/sec在UDMA-4方式下測試速度
◆連續讀 24.0MB/sec
◆連續寫 10.0MB/sec
◆平均訪問時間 0.7ms(估計)
●環境指標
◆工作溫度 -40℃~+85℃
◆非工作溫度 -50℃~+95℃
◆濕度 5%~95%(無凝結)
◆噪聲 0db
◆抗震動 16G,符合美軍准MIL-STD-810F
◆抗衝擊 1.500G,符合美軍准MIL-STD-810F
◆高度 80.000M
●功耗
◆電壓要求 +3.3V±10% ; +5V±10%
◆讀電流 31.0 mA(Max.);34.0 mA(Max.)
◆寫電流 44.0 mA(Max.);47.0 mA(Max.)
◆休眠模式電流 14.1 mA(Max.); 15.9 mA(Max.)
●可靠性
◆MTBF(無故障工作時間)
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付款方式︰ 面議