工作温度 |
-40℃~+85℃
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封装类型
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采用金属封装
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传输方式
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PIO-4
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UDMA-4
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32M
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WR2IFD032S-EISI-P
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WR2IFD032S-EISI-U
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64M
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WR2IFD064S-EISI-P
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WR2IFD064S-EISI-U
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128M
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WR2IFD128S-EISI-P
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WR2IFD128S-EISI-U
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256M
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WR2IFD256S-EISI-P
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WR2IFD256S-EISI-U
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512M
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WR2IFD512S-EISI-P
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WR2IFD512S-EISI-U
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1GB
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WR2IFD01GS-EISI-P
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WR2IFD01GS-EISI-U
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2GB
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WR2IFD02GS-EISI-P
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WR2IFD02GS-EISI-U
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4GB
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WR2IFD04GS-EISI-P
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WR2IFD04GS-EISI-U
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8GB
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WR2IFD08GS-EISI-P
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WR2IFD08GS-EISI-U
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16GB
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SR2IFD16GS-EISI-P
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WR2IFD16GS-EISI-U
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●符合RoSH环保 有 ●兼容性 ATAPI-5和Ture IDE
●闪存技术 NAND型SLC Flash
●样式 标准的2.5英寸IDE硬盘
◆连接 44针
●设置主盘/从盘跳线 有
●系统性能
◆数据传输方式 PIO-4或者UDMA-4
◆数据传输速率 66.6MB/sec在UDMA-4方式下测试速度
◆连续读 24.0MB/sec
◆连续写 10.0MB/sec
◆平均访问时间 0.7ms(估计)
●环境指标
◆工作温度 -40℃~+85℃
◆非工作温度 -50℃~+95℃
◆湿度 5%~95%(无凝结)
◆噪声 0db
◆抗震动 16G,符合美军准MIL-STD-810F
◆抗冲击 1.500G,符合美军准MIL-STD-810F
◆高度 80.000M
●功耗
◆电压要求 +3.3V±10% ; +5V±10%
◆读电流 31.0 mA(Max.);34.0 mA(Max.)
◆写电流 44.0 mA(Max.);47.0 mA(Max.)
◆休眠模式电流 14.1 mA(Max.); 15.9 mA(Max.)
●可靠性
◆MTBF(无故障工作时间)
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付款方式︰ 面议